[发明专利]一种高压抗单粒子辐照的PSOI LDMOS器件结构有效
| 申请号： | 202110951397.2 | 申请日： | 2021-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN113594256B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 方健;刘颖;雷一博;王腾磊;魏亚瑞;江秋亮;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/552 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明提供一种高压抗单粒子辐照PSOI LDMOS器件结构，该器件包括P型衬底、深N型阱区、P型埋层、N型漂移区、P型阱区、局部埋氧层、源区P+注入、源区N+注入、栅氧化层、源区Ptop注入、局部场氧化层、漏极N+注入、多晶硅，本发明提出的结构，在不降低传统LDMOS击穿电压的情况下，通过局部SOI结构，制作出了Si‑SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 高压 粒子 辐照 psoi ldmos 器件 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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