[发明专利]一种两相钽酸钴陶瓷块体及其制备方法

摘要

本发明公开了一种两相钽酸钴陶瓷块体及其制备方法，两相钽酸钴陶瓷块体由Co4Ta2O9和CoTa2O6构成，且Co4Ta2O9和CoTa2O6的摩尔比为X：(1‑X)，1X0；两相钽酸钴陶瓷块体的热导率为1.5～2.8W.m‑1.K‑1，断裂韧性＞2MPa.m1/2；通过热分解获得具有高度烧结、反应活性的氧化钴和氧化钽，有效降低了反应生成Co4Ta2O9和CoTa2O6致密陶瓷所需温度，防止过烧和晶粒过度长大现象的发生，使得两种陶瓷可在同样的低温下反应结晶形核，同时两种钽酸钴晶粒同时结晶长大相互竞争，起到了抑制晶粒长大和提高材料致密度的作用，获得晶粒尺寸小于10微米的陶瓷材料，有效提高材料的断裂韧性并降低热导率，最终陶瓷材料的致密度大于99％，气孔率小于1％，材料纯度大于99％。