[发明专利]沟槽型原胞结构及制备方法有效
| 申请号： | 202110955605.6 | 申请日： | 2021-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN113838909B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 张曌;李杰;魏国栋;刘玮;李佳玲;师云鹏 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 杜娟娟 |
| 地址： | 518116 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型原胞结构及制备方法，沟槽型原胞结构的制备方法包括：形成第一导电类型的外延层，并于第一导电类型的外延层内形成有沟槽；于沟槽内形成栅极结构；于第一导电类型的外延层内形成第二导电类型的体区，第二导电类型的体区位于栅极结构相对的两侧；于第一导电类型的外延层的上表面形成势垒金属层，并于第一导电类型的外延层内形成肖特基结；肖特基结位于相邻栅极结构之间的第二导电类型的体区之间，势垒金属层将栅极结构、第二导电类型的体区及肖特基结短接，电流绕过肖特基结，导电沟道导通，一举解决平面型肖特基器件存在的问题，不论反向截止电压如何变化，降低正向开通损耗和反向偏置漏电流，提高正向开通密度。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 型原胞 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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