[发明专利]一种低含氧高纯度聚碳硅烷的制备方法有效
| 申请号： | 202110958994.8 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN113461951B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 姚晓吉;李思维;汤明;黄金秋;涂惠彬 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C08G77/60 | 分类号： | C08G77/60 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 张素斌 |
| 地址： | 361005 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种低含氧高纯度聚碳硅烷的制备方法，包括以下步骤：用有机溶剂熔融碱金属，滴加二甲基二氯硅烷生成聚二甲基硅烷；用无水醇反应剩余反应物，过滤除去溶剂；清洗碱金属氯化物和氢氧化物，过滤得到粗聚二甲基硅烷；抽真空除去水分和硅氧烷，得到精聚二甲基硅烷；常压高温裂解聚二甲基硅烷收集馏分；馏分常压高温合成聚碳硅烷。本发明对聚二甲基硅烷抽真空除去水分和硅氧烷，降低聚二甲基硅烷的含氧量；对聚二甲基硅烷在高温下裂解收集馏分合成，降低聚碳硅烷的支化度、碱金属和游离态碳含量的含量，保证聚碳硅烷的高纯度。制备的聚碳硅烷数均分子量600～1500，氧含量0.05wt％～0.6wt％，碱金属含量低于25ppm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低含氧高 纯度 硅烷 制备 方法 | ||
【主权项】：
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