[发明专利]模拟方法、存储媒介及模拟装置在审
| 申请号： | 202110959518.8 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN114117982A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 西口贤弥;桥诘保 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社;国立大学法人北海道大学 |
| 主分类号： | G06F30/36 | 分类号： | G06F30/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 熊传芳;苏卉 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供模拟方法、存储媒介及模拟装置，即使在频率较低的情况下也获得优异的精度。使用半导体与绝缘体之间的界面包含伴随于向金属施加的电压的变化而将电子捕获及放出的多个离散性的界面态的C‑V特性模型，C‑V特性模型表示与电压的变化对应的第三电容，第三电容包括与形成于界面的耗尽层对应的第一电容、与多个离散性的界面态对应的第二电容、绝缘体的电容。计算与被施加于金属的第一电压对应的第一电容，根据由多个离散性的界面态中与第一电压对应的第一界面态放出的电子的量来计算第二电容，在计算第二电容时通过使第一电压阶段性地变化来使与该第一电压对应的第一界面态阶段性地变化。 | ||
| 搜索关键词： | 模拟 方法 存储 媒介 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社;国立大学法人北海道大学，未经住友电气工业株式会社;国立大学法人北海道大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110959518.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
