[发明专利]GaN基蓝紫光垂直腔面发射激光器芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 202110959805.9 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN113922208A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 肖和平;朱迪;郭磊 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了GaN基蓝紫光垂直腔面发射激光器芯片及其制作方法，属于半导体制作领域。将n‑GaN衬底上的第一分布式布拉格反射镜设置为包括非掺杂的AlN/GaN超晶格结构，反射率较高，质量也较好，提高出光率。另一方面将第二分布式布拉格反射镜设置在量子阱有源层与p‑GaN欧姆接触层之间，释放应力，抑制载流子溢出，同时降低空穴势垒高度有利于空穴传输，以改善器件性能。整体可以有效提高得到的GaN基蓝紫光垂直腔面发射激光器的质量与出光效率，保证GaN基蓝紫光垂直腔面发射激光器的稳定使用。 | ||
| 搜索关键词： | gan 紫光 垂直 发射 激光器 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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