[发明专利]用于半导体器件的钝化结构化和镀覆在审
| 申请号： | 202110960441.6 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN114078715A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | R·K·约希;A·贝伦特;R·盖斯贝格尔;A·扎茨;J·施拉明格;J·施米德;M·施塔诺夫尼克;J·施泰因布伦纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;周学斌 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于半导体器件的钝化结构化和镀覆。在此描述了一种方法和通过该方法生产的功率半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成结构化的金属化层；在结构化的金属化层上形成保护层；在结构化的金属化层上形成第一钝化，其中保护层被插入在第一钝化和结构化的金属化层之间；对第一钝化进行结构化以暴露保护层的一个或多个区；移除保护层的一个或多个被暴露的区以暴露结构化的金属化层的一个或多个部分；以及在结构化第一钝化并且移除保护层的一个或多个被暴露的区之后，在第一钝化上形成第二钝化并且对结构化的金属化层的一个或多个被暴露的部分进行无电镀覆。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 钝化 结构 镀覆 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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