[发明专利]不对称型变磁通记忆电机有效
| 申请号： | 202110962647.2 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN113783391B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 华浩;周子成 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H02K21/14 | 分类号： | H02K21/14;H02K21/02;H02K1/278;H02K3/28 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种不对称型变磁通记忆电机，包括定子铁心、定子绕组、转子铁心、低矫顽力可变磁通永磁体；所述定子绕组安装在所述定子铁心上，所述低矫顽力可变磁通永磁体安装在所述转子铁心上，所述不对称型变磁通记忆电机所具有的转子的一对或多对磁极上设置有低矫顽力可变磁通永磁体，低矫顽力可变磁通永磁体的中心线与转子磁极中心轴线不重合；本发明所述的不对称型变磁通记忆电机，由于低矫顽力可变磁通永磁体的中心线与转子磁极中心轴线不重合，且在电机转子正向旋转情况下交轴电枢反应磁场将正向流过低矫顽力可变磁通永磁体，故所述不对称型变磁通记忆电机可以在正向旋转情况下避免交轴电枢电流造成的意外退磁问题。 | ||
| 搜索关键词： | 不对称 型变磁通 记忆 电机 | ||
【主权项】：
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