[发明专利]原位制备{001}晶面曝露的锐钛矿型二氧化钛薄膜的方法有效
| 申请号： | 202110966403.1 | 申请日： | 2021-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN113564707B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 肖帆;周丹 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B7/10;C21D1/26;C22F1/18 |
| 代理公司： | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人： | 周红芳 |
| 地址： | 310006 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种原位制备{001}晶面曝露的锐钛矿型二氧化钛薄膜的方法，具体实施方式如下：先对基体进行清洗，然后进行退火预处理，将处理后的基体再进行清洗并晾干备用；将钛源、氟源、酸和异丙醇均匀混合并充分搅拌，配置成反应前驱液备用；将基体与反应前驱液移至不锈钢高压反应釜中，在电热鼓风干燥箱中进行水热反应，反应结束后冷却取出基体，用去离子水进行超声清洗，获得表面有二氧化钛薄膜的基体。通过本发明制备得到的薄膜在基体上原位生长形貌均匀、致密且薄。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 制备 001 曝露 锐钛矿型二 氧化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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