[发明专利]存储器装置在审
| 申请号： | 202110966715.2 | 申请日： | 2021-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN114256249A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 金成镇;权俊秀;金完东 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11519 | 分类号： | H01L27/11519;H01L27/11521;H01L27/11526;H01L27/11548;H01L27/11551;H01L27/11565;H01L27/11568;H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 沈照千;田野 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种存储器装置。所述存储器装置包括：单元区域，在单元区域中设置有存储器块，每个存储器块包括堆叠在基底上的字线和穿透字线的沟道结构；以及外围电路区域，包括外围电路，外围电路对每个存储器块作为单位执行删除数据的擦除操作。外围电路在擦除操作中基于目标存储器块的位置、目标存储器块中包括的每条字线的高度和每个沟道结构的轮廓中的至少一者，来控制向要删除数据的目标存储器块中包括的每条字线施加的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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