[发明专利]真空蒸镀装置用的蒸镀源在审
申请号: | 202110967499.3 | 申请日: | 2021-08-23 |
公开(公告)号: | CN114381693A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 北泽僚也;斋藤一也 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;C23C14/04 |
代理公司: | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人: | 齐永红;秦岩 |
地址: | 日本神奈川*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种可尽量抑制蒸镀中被处理基板和掩模板的温度上升的真空蒸镀装置用的蒸镀源。配置在真空室内用于对被处理基板进行蒸镀的真空蒸镀装置用的蒸镀源(DS),其具有填充蒸镀材料(Vm)的容器(41)和加热该容器内的蒸镀材料的加热装置(43),容器具有排放部(44),其可排放通过加热而在该容器内气化或升华了的蒸镀材料,在由于伴随由加热装置进行的蒸镀材料的加热而被加热,所以对被处理基板辐射热线的容器部分(41a,44a,44b)上,设置比该容器的母材辐射率低的低辐射率层(Le)。 | ||
搜索关键词: | 真空 装置 蒸镀源 | ||
【主权项】:
暂无信息
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