[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110967876.3 | 申请日： | 2021-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN113871385A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;毛淑娟;刘战峰;张兆浩;张青竹;罗彦娜;周娜;罗军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 史晶晶 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括半导体衬底，其内部形成有包括N沟道和P沟道的CMOS电路结构；堆叠结构，位于所述半导体衬底之上，且内部形成有源极和漏极以及与该源极和漏极电连接的氧化层，所述源极和所述漏极材料为金属硅化物，所述氧化层上形成有由铁电栅层和金属栅层构成的栅极层；其内部形成存储电路结构；贯通插塞，贯通所述半导体衬底和所述堆叠结构，并连接所述CMOS电路结构以及所述以及存储电路结构。在上述技术方案中，该半导体结构将半导体衬底上的堆叠结构采用为低温CMOS工艺制备的低功耗存储电路，结合半导体衬底上采用的成熟CMOS工艺制备逻辑运算电路，使二者结合后可以构成低功耗混合存算系统。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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