[发明专利]晶圆键合强度的测量方法及设备在审
| 申请号： | 202110970420.2 | 申请日： | 2021-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN113782462A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 邢程;王清蕴;章亚荣 | 申请（专利权）人： | 芯盟科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 胡亮;张颖玲 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供一种晶圆键合强度的测试方法和设备，所述方法包括：在第一晶圆上的待测区域内形成凸起结构；所述凸起结构具有第一高度；将第二晶圆与所述第一晶圆键合，在所述待测区域内形成气泡；在晶圆键合后，所述凸起结构在所述待测区域内具有第二高度；所述第二高度小于所述第一高度；测量所述气泡的直径；根据所述气泡的直径，确定所述第一高度与所述第二高度的高度差；根据所述高度差，确定晶圆键合强度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆键合 强度 测量方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
