[发明专利]一种双向静电防护芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了双向静电防护芯片，包括衬底、形成在衬底内第一扩散区、第一扩散区包括正交连接的第一扩散子区和第二扩散子区、间隔形成在衬底内并位于第二扩散子区之间的沟槽，沟槽内填充有多晶硅层和第二扩散区，第二扩散区包括位于沟槽侧壁的第三扩散子区和位于沟槽底部的第四扩散子区，多晶硅层位于第三扩散子区之间并与第四扩散子区连接，形成在第二扩散子区上表面并连接第三扩散子区的氧化硅层，氧化硅层之间形成有位于沟槽上方的开口，形成在氧化硅层上表面并填充开口的第一金属层和位于衬底下表面的第二金属层。本发明还提供了双向静电防护芯片的制备方法，提高了器件的击穿电压稳定性和放电面积，降低了器件的制造成本。