[发明专利]一种调控MXenes薄膜非线性光学性能的方法在审
| 申请号： | 202110973492.2 | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN113703245A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 黄智鹏;李卉;张弛 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | G02F1/35 | 分类号： | G02F1/35;C03C17/22 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 刘燕武 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种调控MXenes薄膜非线性吸收性能的方法，该方法为：取少层MXenes薄膜，采用电场调控方法对其进行表面端基控制，即实现MXenes薄膜非线性光学性能的调控。与现有技术相比，本发明通过电场调控材料表面端基氧化程度来控制材料激发态能级以及费米能级附近自由电子的态密度，使得材料的能带结构的变化具有高度可控性和可逆性。在不同的激发波长下，MXenes薄膜的非线性吸收性能随表面端基的变化具有多样性，变化高效且可逆。515nm时，表面端基‑O基团的增加使得MXenes薄膜具有更大的饱和吸收特性；800nm时，表面端基‑OH基团的增加导致材料具有更大的反饱和吸收特性。本发明利用表面端基控制二维材料非线性光学性能，为二维非线性光学材料的发展提供新的思路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调控 mxenes 薄膜 非线性 光学 性能 方法 | ||
【主权项】：
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