[发明专利]一种锑基光阴极Sb2

摘要

本发明涉及一种锑基光阴极Sb2S3/Sb2O3异质结结构及其制备方法，属于光电材料技术领域。本发明锑基光阴极Sb2S3/Sb2O3异质结结构，由p型Sb2S3薄膜底层、Sb2S3/Sb2O3缓冲层和n型Sb2O3薄膜顶层组成；在基底上溅射Sb得到Sb薄膜，Sb薄膜经硫化反应得到Sb2S3薄膜，Sb2S3薄膜与氧气反应生成Sb2S3/Sb2O3缓冲层和n型Sb2O3导带底得到锑基光阴极Sb2S3/Sb2O3异质结结构。以窄带隙p型Sb2S3薄膜吸收光能，宽带隙Sb2O3薄膜作为光生电子的传输通道、催化层和耐腐蚀层，借助Sb2S3/Sb2O3异质结间的能极差来分离光生载流子，Sb2S3/Sb2O3缓冲层提高电荷传输效率和稳定性，增强电极的导电性与材料的耐腐蚀性。