[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110974152.1 | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN113937061A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 沙哈吉·B·摩尔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明描述了形成具有优化尺寸的外延结构的半导体器件的方法。方法包括：在衬底上形成第一鳍结构和第二鳍结构；在第一鳍结构和第二鳍结构上形成间隔件层；形成与第一鳍结构相邻的第一间隔件结构；以及形成与第一间隔件结构相邻的第一外延结构。第一鳍结构和第二鳍结构由隔离层分隔开。第一间隔件结构在隔离层之上具有第一高度。方法还包括：形成与第二鳍结构相邻的第二间隔件结构以及形成与第二间隔件结构相邻的第二外延结构。第二间隔件结构在隔离层之上具有比第一高度大的第二高度。第二外延结构包括与第一外延结构不同类型的掺杂剂。本申请的实施例还涉及半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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