[发明专利]一种用于制作晶体管的芯片及其制作方法、晶体管在审
| 申请号： | 202110975217.4 | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN113889410A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 郭芬;周朗;李拓 | 申请（专利权）人： | 山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王晓坤 |
| 地址： | 250001 山东省济南市自由贸易试验*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种用于制作晶体管的芯片的制作方法，包括：在衬底的上表面形成掺杂金刚石层；对衬底和掺杂金刚石层进行退火处理，使掺杂金刚石层转化为石墨烯层；在石墨烯层的上表面形成缓冲层；在缓冲层的上表面形成异质结构及器件，得到芯片。本申请先在衬底上表面先形成掺杂金刚石层，然后进行退火处理，使得掺杂金刚石层转变为石墨烯层，进而在石墨烯层的上表面通过原位生长依次叠加形成缓冲层和异质结构及器件，石墨烯是一种二维晶体材料，一方面作为衬底和缓冲层之间的应力释放层，缓解衬底和缓冲层之间的应力，另一方面作为成核层，降低缓冲层的位错密度，提高芯片的可靠性。此外，本申请还提供一种具有上述优点的芯片和晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制作 晶体管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司，未经山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110975217.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
