[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110976030.6 | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN115911000A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 苏博;张高颖;叶逸舟;吴汉洙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 半导体器件及其形成方法，其中一种半导体器件形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括器件区和标记区；在所述标记区表面形成若干第一对准标记结构；以所述第一对准标记结构为基准进行第一图形化，在所述器件区内形成第一器件结构；以所述第一对准标记结构为基准进行第二图形化，在所述器件区内形成第二器件结构。从而，简化了整体工艺流程，减少产生低频噪声，提高了光刻的对准准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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