[发明专利]倒装发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110977427.7 | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN113707782B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 陈思河;黄禹杰;臧雅姝;韩涛;李俊贤;吕奇孟;陈剑斌 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/20;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种倒装发光二极管，包括：半导体叠层，包括依次层叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述半导体叠层包含第一区域以及与所述第一区域不重叠的第二区域；多个孔洞，包括多个第一孔洞和多个第二孔洞，所述第一孔洞和所述第二孔洞穿过所述第二半导体层、所述有源层以及部分所述第一半导体层以裸露所述第一半导体层的一部分表面，所述第一孔洞位于所述第一区域，所述第二孔洞位于所述第二区域；第一焊盘电极，形成在所述半导体叠层第一区域上，电连接至所述第一半导体层；第二焊盘电极，形成在所述半导体叠层第二区域上，电连接至所述第二半导体层；其中，所述第一孔洞中所述第一半导体层表面的面积小于所述第二孔洞中所述第一半导体层表面的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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