[发明专利]一种含硫空位NiS量子点/S,N,O共掺杂碳电极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202110977446.X | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN113694952B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 王德宝;孙畅鸿;宋彩霞;谢玉珂 | 申请（专利权）人： | 乌海瑞森新能源材料有限公司 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;B01J35/02;C02F1/461;C02F1/467;C02F1/72;C25B11/054;C25B11/065;C25B11/091;C25B1/04;C25B1/50;C25B3/05;C25B3/07;C25B3/23;C02F101/30 |
| 代理公司： | 北京云嘉湃富知识产权代理有限公司 11678 | 代理人： | 陈顺华 |
| 地址： | 016000 内蒙古自治区乌*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种含硫空位NiS量子点/S,N,O共掺杂碳网络电极材料及其制备方法，含有硫空位的NiS量子点均匀镶嵌在生长于碳布上的S,N,O共掺杂碳网络中，形成碳布自支撑的复合电极材料。将NiCl |
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| 搜索关键词： | 一种 空位 nis 量子 掺杂 电极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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