[发明专利]一种193nm浸没式光刻用光产酸剂及其中间体有效
申请号: | 202110979288.1 | 申请日: | 2021-08-25 |
公开(公告)号: | CN113698329B | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 王溯;方书农;徐森;林逸鸣 | 申请(专利权)人: | 上海芯刻微材料技术有限责任公司 |
主分类号: | C07C381/12 | 分类号: | C07C381/12;C07C309/12;C07C227/18;C07C229/50;C07C303/32;C07C67/08;C07C69/753;C07C229/46;C07C69/608;G03F7/004 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 王卫彬;陈卓 |
地址: | 201616 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: |
本发明公开了一种193nm浸没式光刻用光产酸剂及其中间体。本发明的光产酸剂如式I所示。含有本发明的光产酸剂的光刻胶的具有分辨率高、灵敏度高和线宽粗糙度低的优点,具有良好的应用前景。 |
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搜索关键词: | 一种 193 nm 浸没 光刻 用光 产酸剂 及其 中间体 | ||
【主权项】:
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