[发明专利]一种ArF光源干法光刻用多鎓盐型光产酸剂的应用在审
| 申请号： | 202110979409.2 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN113820919A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 方书农;王溯;耿志月;崔中越 | 申请（专利权）人： | 上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;C07C303/32;C07C309/42;C07C309/12;C07C381/12 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 王卫彬;陈卓 |
| 地址： | 201616 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种ArF光源干法光刻用多鎓盐型光产酸剂的应用。该光产酸剂为具有阴离子和鎓离子的鎓盐，所述阴离子具有式(I)所示的结构，所述鎓离子具有式(A)或式(B)所示的结构，所述鎓离子的个数使所述鎓盐的电荷保持中性。包含本发明鎓盐的光刻胶具有更好的分辨率、灵敏度和线宽粗糙度。 |
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| 搜索关键词： | 一种 arf 光源 光刻 用多鎓盐型光产酸剂 应用 | ||
【主权项】：
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