[发明专利]一种用于检测硅片的缺陷的方法在审
| 申请号： | 202110982198.8 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN113702405A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 李阳;徐鹏;衡鹏;张婉婉 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/04 | 分类号： | G01N23/04;G01N23/20 |
| 代理公司： | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人： | 李斌栋;姚勇政 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市市辖*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种用于检测硅片的缺陷的方法，所述方法包括：S101：利用X射线形貌仪对所述硅片的整个主表面进行单次第一检测，以获取所述主表面的整体缺陷信息；S102：根据所述整体缺陷信息确定出形成在所述硅片中的所述缺陷在所述主表面中的分布位置；S103：利用所述X射线形貌仪在所述主表面中的所述分布位置处对所述硅片中沿着硅片厚度方向平行地排列的多个不同层进行相应的多次第二检测，以获得所述缺陷在所述多个不同层中的相应的多个二维形状；S104：对所述多个二维形状进行拟合获得所述缺陷的三维形状。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 检测 硅片 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司，未经西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110982198.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
