[发明专利]半导体晶圆破裂的发生率降低方法在审
| 申请号： | 202110982250.X | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN114112653A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 藤濑淳;小野敏昭;多久岛武 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N3/08 | 分类号： | G01N3/08;G01N3/20;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张泽洲;张一舟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出晶圆制造工序或元件形成工序中降低半导体晶圆破裂的发生率的方法。是抑制半导体晶圆破裂的发生率的方法，其特征在于，在从半导体锭制造半导体晶圆而在被制造的半导体晶圆上形成半导体元件的工艺中，在第1工序和第2工序之间具备第3工序，在前述第1工序中，在上述半导体晶圆处会形成伤痕，在前述第2工序中，对经过该第1工序的半导体晶圆施加应力而半导体晶圆会破裂，在前述第3工序中，进行弯曲试验来判定半导体晶圆是否破裂，将未破裂的半导体晶圆向前述第2工序搬运，前述弯曲试验为，将与上述第2工序中对半导体晶圆施加的应力对应的应力对半导体晶圆施加。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 破裂 发生率 降低 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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