[发明专利]一种发光二极管超临界处理方法有效
| 申请号： | 202110984706.6 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113437187B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 张冠张;李蕾;刘凯 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供的发光二极管超临界处理方法，通过根据发光二极管的半导体结构所具有的第一元素，选取第二物质；获取超临界态的第二物质；通过超临界态的第二物质对半导体结构进行晶体缺陷修复。可见，利用超临界态的第二物质具有的渗透性与流动性，通过超临界态的第二物质的元素，对发光二极管的半导体结构进行晶体缺陷修复，使得其半导体结构趋向于理想晶体结构，其光学性能更加贴近理想模型，由此，发光二极管的电光转换，以及产生的发光光谱，更加符合理想模型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 临界 处理 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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