[发明专利]一种有机半导体器件超临界处理方法有效
| 申请号： | 202110985897.8 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113856237B | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 张冠张;李蕾;刘凯 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | B01D11/02 | 分类号： | B01D11/02 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种有机半导体器件超临界处理方法，包括：提供一有机半导体器件以及二氧化碳；获得超临界态的二氧化碳；通过超临界态的二氧化碳对所述有机半导体器件进行杂质萃取。可见有机材料结构中的杂质，如聚合物单体分子、寡聚物等小分子或软交联剂杂质，会被超临界态的二氧化碳从有机材料中脱除。同时，水分子同样会被超临界态的二氧化碳从有机材料中脱除。因此，有机材料结构在有机半导体器件中发挥的电学性能，能够进一步靠近理想模型，杂质带来的影响下降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 半导体器件 临界 处理 方法 | ||
【主权项】：
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