[发明专利]半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法在审
| 申请号： | 202110986211.7 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113611607A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 陆新城;孔凡伟;娄燕燕;王秀锦 | 申请（专利权）人： | 山东晶导微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/861;H01L21/02 |
| 代理公司： | 济宁汇景知识产权代理事务所(普通合伙) 37254 | 代理人： | 苟莎 |
| 地址： | 273100 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法，属于快恢复芯片生产领域，其特征在于，首先对晶圆进行清洗，保证其表面洁净，然后采用低温化学气相沉积法在晶圆表面形成一层氧化隔离膜，膜厚在＞6000埃；再依次经光刻、沟槽蚀刻、电泳法玻璃钝化、金属化制得快恢复芯片；本发明在晶圆表面形成一层致密的隔离膜，通过把控氧化温度及时间保证其隔离膜能有效的保阻断钝化时玻璃粉在台面上的沉积，同时又保证产品TRR不受温度影响，确保产品的一致性，实现快恢复芯片的规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 分立 器件 恢复 芯片 电泳 工艺 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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