[发明专利]一种SiC器件的欧姆接触制备方法在审
| 申请号： | 202110987755.5 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113808923A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 陈平原;张腾 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 曹芸 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC器件的欧姆接触制备方法，属于半导体器件技术领域。该方法首先利用湿法工艺对裸SiC进行表面处理，去除材料本征氧化层，而后对处理后的SiC表面进行Si离子注入，注入后利用蒸发或者溅射工艺继续沉积一定厚度的欧姆金属层，最后通过退火工艺形成欧姆接触结构。本发明在沉积金属前对SiC材料表面进行Si离子注入，高能离子的注入对材料表面具有物理轰击的作用,该作用可制造出更多的晶格空位，这利于后续低接触电阻率的欧姆接触形成，同时注入后的SiC材料表面是富硅状态，这将减弱SiC与欧姆金属的直接反应，从而避免较多反应生成的C元素析出到金属表面，这有利于增强欧姆金属层与后续金属层的粘附性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 器件 欧姆 接触 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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