[发明专利]半导体电路的制备方法在审
申请号: | 202110988108.6 | 申请日: | 2021-08-26 |
公开(公告)号: | CN113764285A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 王敏;左安超;谢荣才;高远航 | 申请(专利权)人: | 广东汇芯半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/66 |
代理公司: | 深圳市辰为知识产权代理事务所(普通合伙) 44719 | 代理人: | 陈建昌 |
地址: | 528000 广东省佛山市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种半导体电路的制备方法,通过对制备得到的待测半导体电路先切除连筋,然后再对连筋切除后的待测半导体电路进行参数测试,通过参数测试的待测半导体电路确认为合格的半导体电路,降低了参数测试工序测试工装难度,无需采用结构复杂以及精度要求高的测试工装,进而在自动化生产反复测试过程中测试工装接触部位不易老化,能够延长测试工装寿命,降低了测试工装成本;另外,对切筋后的待测半导体电路进行参数测试工序时合格品会进行引脚成型步骤,不合格品不需要成型步骤,所以不合格品与合格品从外部结构可以很好区分,避免混料风险,进而便于对半导体电路合格品与不合格品的区分。 | ||
搜索关键词: | 半导体 电路 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东汇芯半导体有限公司,未经广东汇芯半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110988108.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测方法及装置
- 下一篇:一种珠宝盒的连接结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造