[发明专利]一种低功耗的横向阶梯分离栅器件结构有效
| 申请号： | 202110994084.5 | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN113948574B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 吴丽娟;吴海凤;曾金胜;陈星;苏绍连;刘清 | 申请（专利权）人： | 长沙理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410114 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种低功耗的横向阶梯分离栅器件结构。本发明主要特征在于：具有两个阶梯的分离栅且阶梯分离栅位于N漂移区的氧化槽中，中间用二氧化硅相互隔离并且以阶梯状分布；两个平面栅以镶嵌在氧化槽中的槽栅为中心呈两边对称分布；P条、N漂移区和氧化槽在Z方向上交替排列。本发明降低了开关损耗，主要缓解了槽型器件中的比导通电阻和栅漏电荷矛盾关系，同时优化电荷平衡，提高终端结构的耐压。本发明能在保证器件整体有较大耐压的同时也能显著的减小比导通电阻（静态损耗）和栅漏电荷（动态损耗）。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 横向 阶梯 分离 器件 结构 | ||
【主权项】：
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