[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110995247.1 | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN113629132A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 李浩南;张永杰;周永昌;黄晓辉;董琪琪 | 申请（专利权）人： | 飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 樊文娜;刘荣娟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请技术方案提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构位于器件区外侧的边缘区，包括：半导体衬底及位于所述半导体衬底上的外延层；绝缘层，自所述外延层的部分表面延伸至所述外延层中；保护层，位于所述绝缘层与所述外延层之间，且与所述外延层的掺杂类型不同；过渡层，自所述绝缘层一侧的外延层表面延伸至所述外延层中，且所述过渡层与所述保护层的掺杂类型相同；场氧化层，位于所述绝缘层以及所述绝缘层另一侧的保护层和外延层的表面；金属场板，位于所述过渡层和部分所述场氧化层上，且所述金属场板连接所述器件区的器件结构。本申请技术方案的半导体结构及其形成方法，能够大幅度提高边缘区终端结构的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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