[发明专利]一种集成芯片及其制作方法和集成电路

摘要

本申请提供一种集成芯片及其制作方法和集成电路。集成芯片包括：硅衬底、基于硅半导体的开关控制电路、砷化镓外延结构和基于砷化镓的开关电路；所述硅衬底被划分为硅器件区域和砷化镓器件区域；基于硅半导体的开关控制电路设置在硅衬底上，对应设置在所述硅器件区域；砷化镓外延结构设置在硅衬底上，对应所述砷化镓器件区域；以及基于砷化镓的开关电路设置在砷化镓外延结构上；所述基于硅半导体的开关控制电路与所述基于砷化镓的开关电路通过金属互联；所述基于砷化镓的开关电路包括砷化镓高电子迁移率晶体管，可以将基于硅半导体的开关控制电路和基于砷化镓的开关电路集成到一个芯片上，实现更高的集成度、更小的器件面积、更低的制作成本以及更好的性能。