[发明专利]一种NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料及其制备方法和应用有效
申请号: | 202110997090.6 | 申请日: | 2021-08-27 |
公开(公告)号: | CN113735573B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 刘明;马春蕊;胡天翼 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | C04B35/26 | 分类号: | C04B35/26;C04B35/622;C04B35/63 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 李红霖 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: |
本发明公开了一种NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料及其制备方法和应用,本发明NFC用低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料,包括主成分和辅助成分,其中,以重量百分比计,主成分包括:Fe |
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搜索关键词: | 一种 nfc 损耗 nicuzn 磁铁 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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