[发明专利]SiC-HfB2在审

专利信息
申请号: 202111003705.5 申请日: 2021-08-30
公开(公告)号: CN113735589A 公开(公告)日: 2021-12-03
发明(设计)人: 赵宇辉;李建朝;安建良;张茜;田珊珊;郭艳飞;沈丽月 申请(专利权)人: 河北工业职业技术学院
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/575;C04B35/577;C04B35/58;C04B35/622;C04B35/645
代理公司: 石家庄旭昌知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 13126 代理人: 曹芸丽
地址: 050000 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明提供了一种SiC‑HfB2双层复合材料的制备方法,其包括将SiC粉末、HfO2粉末、B4C粉末分别用无水乙醇进行超声清洗并烘干后,SiC粉末、HfO2粉末和B4C粉末与第一烧结助剂混合并预压成型得到SiC预压层,HfO2粉末和B4C粉末与第二烧结助剂混合与去离子水形成浆料,覆在SiC预压层表面,预压形成SiC‑HfO2‑B4C预压组合体,对SiC‑HfO2‑B4C预压组合体进行烧结后得到SiC‑HfB2双层复合材料预备体,SiC‑HfB2双层复合材料预备体表面处理后得到SiC‑HfB2双层复合材料。本发明所述的制备方法制备的SiC‑HfB2双层复合材料,有利于规避直接添加HfB2因其本身烧结性差引起的HfB2颗粒分布不均匀,且相对含量较低的问题,由此使得SiC‑HfB2双层复合材料具有结合强度高、硬度高等特性。
搜索关键词: sic hfb base sub
【主权项】:
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