[发明专利]一种掺磷多孔碳包覆氧化亚硅材料的制备方法及其产品有效
| 申请号： | 202111004806.4 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113816384B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 崔大祥;王亚坤;张芳;颜雪冬;葛美英;卢玉英;王金;张放为;焦靖华 | 申请（专利权）人： | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司;宁波维科电池有限公司;宁波职业技术学院 |
| 主分类号： | C01B33/113 | 分类号： | C01B33/113;C01B32/00;H01M4/38;H01M4/62;H01M4/48 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201109 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磷掺杂多孔碳包覆氧化亚硅材料的制备方法及其产品，以植酸为碳源和磷源，对氧化亚硅进行包覆改性，最终得到一种以掺磷多孔碳为包覆层的核壳结构的复合材料。其中氧化亚硅的质量比为90%~97%，植酸的质量比为3%~10%。本发明公开的复合材料，不仅提高了氧化亚硅的导电性，还有效缓冲了氧化亚硅在充放电过程中的体积膨胀，改善了材料的稳定性和容量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 碳包覆 氧化 材料 制备 方法 及其 产品 | ||
【主权项】：
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