[发明专利]固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法、以及电子机器在审
申请号: | 202111005601.8 | 申请日: | 2021-08-30 |
公开(公告)号: | CN115548035A | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
发明(设计)人: | 田中俊介;野房勇希 | 申请(专利权)人: | 广东京之映科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 519000 广东省珠海市银*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法、以及电子机器,可减小画素间的串扰,而且可谋求画素尺寸的小型化,另外,可降低混色,谋求高灵敏度化、高性能化。画素部(20)构成为在半导体基板(210)形成有作为光电转换部的光二极管(PD211至216),且在让光二极管(PD211至PD216)的光入射的一面侧包含下列而构成:光高吸收层(HA层)(280),在光二极管(光电转换部)(PD211至PD216)的一面侧表面来控制入射光的反射成分,且使的再扩散于光电转换部中;及漫射光抑制结构体(290),抑制朝向包含光高吸收层(280)的光电转换部的一面侧的光入射路中(光散射所导致)的漫射光。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 制造 方法 以及 电子 机器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的