[发明专利]一种可调节相对高度的双支撑硅舟及热处理装置有效
| 申请号： | 202111006298.3 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113437001B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 韩颖超;马潇;周波;李长苏 | 申请（专利权）人： | 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/67;H01L21/324 |
| 代理公司： | 杭州信与义专利代理有限公司 33450 | 代理人： | 马育妙 |
| 地址： | 310053 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可调节相对高度的双支撑硅舟，涉及半导体器件技术领域。包括顶板、底板以及固定安装在顶板与底板间的第一支撑组件；第一支撑组件包括至少两根第一支撑条，第一支撑条上间隔设置有用于放置硅片的第一支撑块；还包括第二支撑组件，第二支撑组件与顶板和/或底板滑动配合；顶升机构，包括受热形变的形变组件，形变组件受热后产生竖直向上的形变量，第二支撑块相对于第一支撑块作竖直向上的运动直至第二支撑块将硅片顶起，使硅片与第一支撑块脱离；本发明还提供一种热处理装置。本发明通过双支撑设计，有效改善了遮挡区域的热处理效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调节 相对高度 支撑 热处理 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
