[发明专利]一种具有屏蔽环结构的垂直型Ⅲ族氮化物功率半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111007214.8 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113782587A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 刘超;陈思豪 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/872;H01L21/329;H01L21/336 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 韩献龙 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有屏蔽环结构的垂直型Ⅲ族氮化物功率半导体器件及其制备方法。所述垂直型Ⅲ族氮化物功率半导体器件为垂直沟槽型肖特基势垒二极管(TMBS)或垂直沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管(T‑MOSFET)；在垂直沟槽型肖特基势垒二极管(TMBS)或垂直沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管(T‑MOSFET)的N型氮化镓漂移层上设置有沟槽，在沟槽底面和二氧化硅层之间设置有P型氮化镓区域，形成屏蔽环结构。本发明屏蔽环结构的设置可以有效地解决传统III族氮化物垂直结构功率器件的局部电场聚集问题，从而改善器件的反向阻断性能以及反向击穿电压；本发明方法适用于III族氮化物体系，工艺相对简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 屏蔽 结构 垂直 氮化物 功率 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学，未经山东大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111007214.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
