[发明专利]一种新型银铅硅硫硒薄膜光伏吸收层材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202111009492.7 申请日: 2021-08-31
公开(公告)号: CN113754310B 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: 齐亚芳;赵肖月;周文辉;周正基;寇东星;武四新 申请(专利权)人: 河南大学
主分类号: C03C17/22 分类号: C03C17/22;C01B33/00;H01L31/032
代理公司: 郑州豫乾知识产权代理事务所(普通合伙) 41161 代理人: 任伟柯
地址: 475000 河南*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 一种新型的银铅硅硫硒薄膜光伏吸收层材料的制备方法,包括以下步骤:1)配制溶剂混合液;2)制备前驱体溶液;3)Ag2PbSiS4前驱体薄膜的制备,在氩气气氛下,将Ag2PbSiS4前驱体溶液在钙钠玻璃上旋涂预烧得Ag2PbSiS4前驱体薄膜;4)Ag2PbSi(S,Se)4吸收层薄膜的制备:将Ag2PbSiS4前驱体薄膜在氩气气氛下高温退火硒化,硒化后,在氩气气氛中冷却至室温,得Ag2PbSi(S,Se)4吸收层薄膜。本发明首次提出Ag2PbSi(S,Se)4材料的制备方法,将Ag2PbSi(S,Se)4材料从理论推导到实际应用,使其不再仅仅局限在理论计算阶段,制备的Ag2PbSi(S,Se)4材料表面致密均匀。
搜索关键词: 一种 新型 银铅硅硫硒 薄膜 吸收 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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