[发明专利]一种14T抗辐照SRAM存储单元电路有效
| 申请号： | 202111010201.6 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113764009B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 赵强;董汉文;吕盼稂;朱志国;彭春雨;卢文娟;吴秀龙;蔺智挺;陈军宁 | 申请（专利权）人： | 安徽大学;合肥海图微电子有限公司;合肥市微电子研究院有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C8/08 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;陈亮 |
| 地址： | 230601 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种14T抗辐照SRAM存储单元电路，PMOS晶体管P1和P2交叉耦合，且PMOS晶体管P1、P2作为上拉管，NMOS晶体管N3、N4和PMOS晶体管P5、P6作为下拉管；NMOS晶体管N1和PMOS晶体管P3构成一个反相器，NMOS晶体管N2和PMOS晶体管P4构成另一个反相器，且两个反相器交叉耦合；两个主存储节点Q与QN通过两个NMOS晶体管N5和N6分别与位线BL和BLB相连；两个冗余存储节点S0与S1通过两个PMOS晶体管P7与P8分别与位线BL和BLB相连。上述电路能够在牺牲较小单元面积的情况下大幅度提高单元的速度，并降低单元功耗和提高单元抗单粒子翻转的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 14 辐照 sram 存储 单元 电路 | ||
【主权项】：
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