[发明专利]一种具有栅极高耐压低漏电的氮化镓功率器件在审
申请号: | 202111010568.8 | 申请日: | 2021-08-31 |
公开(公告)号: | CN113782588A | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 张龙;崔永久;刘培港;马杰;骆敏;王肖娜;孙伟锋;时龙兴 | 申请(专利权)人: | 东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/778 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 沈廉 |
地址: | 211189 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种栅极高耐压低漏电的氮化镓功率器件,包括:P型硅衬底,在P型硅衬底上方设有氮化铝缓冲层,氮化铝缓冲层上方设有铝镓氮缓冲层,铝镓氮缓冲层上方设有氮化镓缓冲层,氮化镓缓冲层上方设有铝镓氮势垒层和两端的源极及漏极,源极及漏极上方设有金属分别作为源极和漏极连接铝镓氮势垒层两端至外围的输入\输出,源极金属与铝镓氮势垒层左端形成欧姆接触,漏极和铝镓氮势垒层右端形成欧姆接触,铝镓氮势垒层上方叠加有三层不同掺杂浓度的P型氮化镓层,P型氮化镓层上方设有栅极金属连接P型氮化镓层至结构外围的输入\输出,栅极金属和P型氮化镓层形成肖特基接触,P型氮化镓层和栅极在源漏极之间相对距离源极较近,相对距离漏极较远,铝镓氮势垒层上方漏极和P型氮化镓之间设有氮化物钝化层,源极和P型氮化镓之间设有氮化物钝化层。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 栅极 耐压 漏电 氮化 功率 器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所,未经东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111010568.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种通信天线装置
- 下一篇:双歧杆菌制剂生产灭菌装置
- 同类专利
- 专利分类