[发明专利]沟槽型功率MOSFET器件的工艺方法在审
| 申请号： | 202111011366.5 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113782589A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 郑小东;张雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型功率MOSFET器件的工艺方法，形成于半导体衬底上的外延层中，在外延层上进行牺牲氧化硅层的形成工艺时，采用不高于1050℃的低温工艺温度制作形成牺牲氧化层,通过降低牺牲氧化层的形成工艺的工艺温度，在形成与传统工艺保持相同厚度的牺牲氧化层时，低温工艺降低了衬底中载流子反向扩散到外延层中的数量，外延层的有效厚度增加，提高击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 mosfet 器件 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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