[发明专利]非蒸散型四元Ti-Zr-V-Cu真空吸气剂薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202111014293.5 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113699425B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 王思慧;朱邦乐;尉伟;王勇 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C22C30/02 | 分类号： | C22C30/02;C23C14/16;C23C14/35;B01J20/02;B01J20/28;B01D53/02;B01J20/30 |
| 代理公司： | 深圳紫辰知识产权代理有限公司 44602 | 代理人： | 沈丹华 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非蒸散型四元Ti‑Zr‑V‑Cu真空吸气剂薄膜及其制备方法。非蒸散型四元Ti‑Zr‑V‑Cu真空吸气剂薄膜包括如下原子百分比组分：钛：20～35％；锆：20～35％；钒：20～35％；铜：2.0～8.0％；余量为杂质。非蒸散型四元Ti‑Zr‑V‑Cu真空吸气剂薄膜的制备方法包括如下步骤：在基体材料上采用磁控溅射方法沉积形成Ti、Zr、V、Cu四种元素的致密层薄膜。上述非蒸散型四元Ti‑Zr‑V‑Cu真空吸气剂薄膜，Cu元素的加入是导致该薄膜具有较低电阻率，薄膜激活温度180℃，真空阻抗低，能够满足同步辐射光源应用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 蒸散 型四元 ti zr cu 真空 吸气 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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