[发明专利]一种用于SiC外延薄膜制备的CVD设备气路系统在审
| 申请号： | 202111017387.8 | 申请日： | 2021-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN115323484A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 牧青;李宝;文成 | 申请（专利权）人： | 江苏汉印机电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C30B25/16;C30B28/14;C30B29/36;H01J37/32 |
| 代理公司： | 常州市瀚宇专利代理事务所(普通合伙) 32551 | 代理人： | 韩萃颖 |
| 地址： | 224000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于SiC外延薄膜制备的CVD设备气路系统，涉及CVD设备技术领域，包括气路、第一气体电磁阀、质量流量计、第二气体电磁阀、真空反应腔、气压检测器、混气装置、信息采集模块、数据收集模块、分析执行模块、数据处理模块和元件执行模块；本发明对反应气体进行自动控制、等比均匀混合和动态添料，并通过自检提醒工作人员进行维修设备，从而提高并保证SiC外延薄膜生成的质量，解决了反应气体在真空反应腔内难以实时控制其等比均匀度的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 sic 外延 薄膜 制备 cvd 设备 系统 | ||
【主权项】：
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