[发明专利]一种表面修饰ZIF-8的低介电聚酰亚胺及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202111020460.7 申请日: 2021-09-01
公开(公告)号: CN113637216B 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: 周雨薇 申请(专利权)人: 大同共聚(西安)科技有限公司
主分类号: C08J9/26 分类号: C08J9/26;C08L79/08;C08L87/00;C08J5/18;C08G83/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710068 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种表面修饰ZIF‑8的低介电聚酰亚胺及其制备方法。该表面修饰ZIF‑8的低介电聚酰亚胺表面均匀覆盖ZIF‑8,断面由大量蜂窝状微孔组成,密度低于0.25g/cm3,孔隙率大于70%,介电常数在1kHz时小于1.50,介电损耗在1kHz时低于0.0040,断裂伸长率大于80%,拉升强度大于10MPa,在水中静置72h的吸水率小于0.02%,在80%潮湿度的环境中静置7天介电常数的增长率小于0.1%。该表面修饰ZIF‑8的低介电聚酰亚胺是由含有聚酰亚胺通过相转化法制备得到,ZIF‑8是在成膜过程中聚酰亚胺溶液中的硝酸锌和相转化过程中溶液中的二甲基咪唑在聚酰亚胺膜表面原位生成。该表面修饰ZIF‑8的低介电聚酰亚胺可以作为低介电常数材料应用于互联装配用层间介质材料领域。
搜索关键词: 一种 表面 修饰 zif 低介电 聚酰亚胺 及其 制备 方法
【主权项】:
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