[发明专利]一种超薄晶圆正面切割工艺在审
| 申请号： | 202111021765.X | 申请日： | 2021-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN113725160A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;符德荣;陈政勋;文锺 | 申请（专利权）人： | 浙江同芯祺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/3065;B23K26/38;B23K26/70;B23K101/40 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 赵丹 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种超薄晶圆正面切割工艺，包括以下步骤：S1、先完成晶圆高温制程，再将晶圆正面与玻璃载板键合，然后做背面晶圆制程；S2、将晶圆背面与玻璃载板键合，然后将正面玻璃载板解键合，除去粘着层；S3、完成正面晶圆制程；S4、通过电浆蚀刻晶圆正面，利用金属和Si的蚀刻速率不同，蚀刻除去切割道处的Si直至背面金属处；S5、于晶圆正面进行激光切割，完成超薄晶圆的切割。本发明利用电浆对Si片和金属的蚀刻速率不同，在晶圆正面蚀刻切割道至裸露出背面金属，再通过激光切割将背面金属切断，从而完成超薄金属的切割，解决了采用钻石刀轮切割导致超薄金属碎裂及激光切割效率低精准度差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 正面 切割 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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