[发明专利]一种屏蔽栅MOSFET及制作方法有效
| 申请号： | 202111025942.1 | 申请日： | 2021-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN113851523B | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 李伟聪;姜春亮;雷秀芳 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 帅进军 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种屏蔽栅MOSFET及制作方法，屏蔽栅MOSFET包括第一导电类型的漂移区、位于漂移区的顶部的沟槽以及位于沟槽的两侧的第二导电类型的体区；沟槽内设有栅极和屏蔽栅，栅极位于屏蔽栅的上方，体区的顶部靠近栅极的一侧设有第一导电类型的第一掺杂区；第一掺杂区的顶面设有源极，体区连接源极；屏蔽栅连接源极；栅极与第一掺杂区之间设有第一氧化层，栅极与体区之间设有栅氧化层，屏蔽栅与沟槽的内壁之间设有第二氧化层，栅极与屏蔽栅之间设有第三氧化层，其中，第一氧化层的厚度大于栅氧化层的厚度。该屏蔽栅MOSFET在降低了栅漏电容的同时，降低了栅源电容，提高了屏蔽栅MOSFET响应速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 mosfet 制作方法 | ||
【主权项】：
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