[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202111027229.0 | 申请日： | 2021-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN115732481A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 杜义琛;张艳红;陈秋颖;丁亚;张书玉;杨林宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 300385 天津市西*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：衬底，衬底包括隔离区；位于隔离区上的底层电极板，底层电极板在隔离区表面上具有第一投影图形；位于底层电极板上的第一绝缘层；位于第一绝缘层上的中层电极板，中层电极板在隔离区表面上具有第二投影图形，第一投影图形在第二投影图形的范围内；位于中层电极板上的第二绝缘层；位于第二绝缘层上的顶层电极板。由于底层电极板的第一投影图形在中层电极板的第二投影图形的范围内，因此可以利用中层电极板将数字隔离器中产生的电场向外引出部分，进而使得承载在顶层电极板边缘处的电场强度降低，有效降低数字隔离器被高压击穿的风险，进而使得数字隔离器的击穿电压提升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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