[发明专利]半导体结构制备方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202111027788.1 | 申请日： | 2021-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN113725166B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 宛强;占康澍;夏军;李森;刘涛;徐朋辉 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高翠花 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，应用于集成电路制造领域，本发明半导体结构的制备方法能够避免在图案转移的过程中，掩膜层侧壁形成弓形弯曲，进而避免后续形成的电接触结构之间形成连接桥，提高半导体结构的性能。另外，本发明制备方法还利用第一隔离条与第二隔离条来间接界定接触孔的位置，从而避免利用凸台来界定接触孔的位置，避免了对准偏移，大大提高了对准精度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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